Доставим вКиевот 24 часов!
  • Блог
  • Магазины
  • Оплата и доставка
  • Что с моим заказом?
0 800 507 800Вам перезвонить?
Корзина

SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW)

Код товара: 197309
SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW) фото 1
SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW) фото 2
SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW) фото 3
SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW) фото 4
SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW) фото 5
SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW) фото 6

+---
фото
Товар закончился
К сравнению
Сравнить

Характеристики SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW)
Артикул: MZ-75E120RW
  • Тип: Внешний
  • Объем SSD, ГБ: От 120 до 128
  • Форм-фактор: 2.5"
  • Объем накопителя, ГБ: 120
  • Интерфейс подключения: SATAIII
  • Тип: Внешний
  • Применение: для настольного компьютера, для ноутбука
  • Объем SSD, ГБ: От 120 до 128
  • Форм-фактор: 2.5"
  • Объем накопителя, ГБ: 120
  • Тип NAND памяти: 3D V-NAND
  • Контроллер: Samsung MGX Controller
  • Скорость записи данных, Mb/s: 520
  • Скорость чтения данных, Mb/s: 540 Мб/сек
  • Наработка мотора на отказ, тыс. ч: 1500
  • Интерфейс подключения: SATAIII
  • Поддержка Trim: Есть
  • Вес, грамм: 66
  • Аппаратное шифрование: Есть
  • Поддержка 4 Кб секторов: Есть
  • Поддержка NCQ: нет
  • Ударостойкость при работе: 1500 G в течении 0.5 мс
  • Внешний карман: Нет
  • Комплект поставки: Обратная совместимость с SATA 2.0
  • Высота, см: 0,7
  • Длина, см: 7
  • Цвет корпуса: черный
  • Страна производитель: Китай
Все характеристики

Описание SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW)

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков - для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную

Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными

Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи с технологией TurboWrite от компании Samsung. накопители серии 850 EVO показывают на 13%* более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID

Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х раз по сравнению с обычным режимом.

Надёжность подкреплённая технологией 3D V-NAND

SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жизненного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO* , что подтверждается 5-и летней гарантией на устройства. А учитывая среднее повышение производительности (Sustained Performance) до 30%, накопители серии 850 EVO становятся одними из самых надежных решений для хранения данных.

Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND

Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективности при операциях записи*.

Динамическая теплозащита

Динамическая теплозащита в накопителях серии 850 EVO постоянно и автоматически поддерживает идеальную температуру для оптимальной работы устройства.

Простая и быстрая установка

При помощи программ «One-stop Install Navigator» и Samsung Data Migration, которые идут в комплекте, вы сможете в два счёта перенести ваши данные со старого SSD или HDD накопителя на накопитель 850 серии EVO, а с помощью программы Samsung Magician можно дополнительно оптимизировать его работу.

Слаженная работа всех компонентов

В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.

Технические характеристики:

  • Применение: пользовательский ПК
  • Производительность: 120 ГБ 
  • Форм-фактор: 2,5 дюйма
  • Интерфейс: SATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
  • Размеры (ШxВxГ): 100,00x69,85x6,80 (мм)
  • Память: Samsung 32-х слойный 3D V-NAND
  • Контроллер: Samsung MGX Контроллер
  • Кэш память: Samsung 256 МБ низковольтовая DDR3 SDRAM
  • Поддержка технологии TRIM: Да
  • S.M.A.R.T Support: Да
  • Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. Производительности: Auto Garbage Collection алгоритм
  • Поддержка WWN: Да
  • Поддержка спящего режима: Да
  • Скорость последовательного чтения: до 540 МБ/сек 
  • Скорость последовательной записи: 520 МБ/сек 
  • Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32): до 94 000 IOPS 
  • Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32): до 88 000 IOPS 
  • Случайное чтение (4KB, QD1): до 10 000 IOPS 
  • Случайная запись (4KB, QD1): до 40 000 IOPS 
  • Среднее энергопотребление (на системном уровне): 2,1 Ватта - 2,4 Ватта (в режиме нагрузки) Энергопотребление в ждущем режиме: 50 мВатт 
  • Напряжение питания: 5 В ± 5% допустимое напряжение
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1,5 Миллион часов (MTBF)
  • Диапазон рабочих температур: 0 - 70 °C Рабочая температура
  • Ударостойкость: 1 500 Г & 0,5 мс (Полусинусоида)

 

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков - для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную

Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными

Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи с технологией TurboWrite от компании Samsung. накопители серии 850 EVO показывают на 13%* более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID

Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х раз по сравнению с обычным режимом.

Надёжность подкреплённая технологией 3D V-NAND

SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жизненного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO* , что подтверждается 5-и летней гарантией на устройства. А учитывая среднее повышение производительности (Sustained Performance) до 30%, накопители серии 850 EVO становятся одними из самых надежных решений для хранения данных.

Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND

Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективности при операциях записи*.

Динамическая теплозащита

Динамическая теплозащита в накопителях серии 850 EVO постоянно и автоматически поддерживает идеальную температуру для оптимальной работы устройства.

Простая и быстрая установка

При помощи программ «One-stop Install Navigator» и Samsung Data Migration, которые идут в комплекте, вы сможете в два счёта перенести ваши данные со старого SSD или HDD накопителя на накопитель 850 серии EVO, а с помощью программы Samsung Magician можно дополнительно оптимизировать его работу.

Слаженная работа всех компонентов

В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.

Технические характеристики:

Применение: пользовательский ПК

Производительность: 120 ГБ

Форм-фактор: 2,5 дюйма

Интерфейс: SATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами

Размеры (ШxВxГ): 100,00x69,85x6,80 (мм)

Память: Samsung 32-х слойный 3D V-NAND

Контроллер: Samsung MGX Контроллер

Кэш память: Samsung 256 МБ низковольтовая DDR3 SDRAM

Поддержка технологии TRIM: Да

S.M.A.R.T Support: Да

Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. Производительности: Auto Garbage Collection алгоритм

Поддержка WWN: Да

Поддержка спящего режима: Да

Скорость последовательного чтения: до 540 МБ/сек

Скорость последовательной записи: 520 МБ/сек

Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32): до 94 000 IOPS

Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32): до 88 000 IOPS

Случайное чтение (4KB, QD1): до 10 000 IOPS

Случайная запись (4KB, QD1): до 40 000 IOPS

Среднее энергопотребление (на системном уровне): 2,1 Ватта - 2,4 Ватта (в режиме нагрузки) Энергопотребление в ждущем режиме: 50 мВатт

Напряжение питания: 5 В ± 5% допустимое напряжение

Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1,5 Миллион часов (MTBF)

Диапазон рабочих температур: 0 - 70 °C Рабочая температура

Ударостойкость: 1 500 Г & 0,5 мс (Полусинусоида)

 


Сообщить об ошибке
Описание ошибки
Необходимо заполнить поле «Описание ошибки».
Сообщение успешно отправлено

Отзывы SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5 SATA (MZ-75E120RW)