SSD накопичувач SAMSUNG 850 Evo Kit 120GB 2,5" SATA (MZ-75E120RW)

Особливості технології 3D V-NAND

У звичайній флеш-пам'яті типу NAND комірки, в яких зберігається інформація, плоскі. Таку пам'ять просто виготовляти, але вона має низку недоліків – для підвищення ємності чіпа доводиться зменшувати розміри осередків, що збільшує їх вплив один на одного та знижує надійність зберігання інформації. SSD накопичувачі Samsung виготовляються з використанням інноваційної архітектури 3D V-NAND, в якій осередки мають циліндричну форму, що усуває їх вплив один на одного, а збільшення ємності досягається за рахунок розташування осередків один над одним в 32 шари без шкоди для надійності зберігання даних і швидкості . Така конструкція дозволяє створити пам'ять, одночасно ємну, швидку та надійну

Унікальна технологія TurboWrite – неперевершена швидкість обміну даними

Забезпечте максимальну швидкість читання/запису з технологією TurboWrite від компанії Samsung. накопичувачі серії 850 EVO показують на 13%* вищий рівень продуктивності, завдяки вищій швидкості (близько 2-х разів) випадкового (random) запису. Вони так само забезпечують найвищу продуктивність у своєму класі та з послідовною (sequential) швидкістю читання та запису, забезпечуючи результат у 540 МБ/с та 520 MБ/с відповідно.

Переключитесь на вищу передачу в режимі RAPID

Остання версія програми Samsung Magician дозволить вам ще більше збільшити швидкість роботи вашого накопичувача, увімкнувши режим RAPID. Він здатний задіяти до 25% вільної оперативної пам'яті (DRAM) вашого комп'ютера як інтелектуальний кеш. У режимі RAPID швидкість передачі даних, а також швидкість читання з випадковою (random) вибіркою зростає до 2 разів в порівнянні зі звичайним режимом.

Надійність підкріплена технологією 3D V-NAND

SSD накопичувачі серії 850 EVO гарантують надійність і довговічність за рахунок подвоєння життєвого циклу Total Bytes Written (TBW) у порівнянні з попереднім поколінням накопичувачів серії 840 E 5-річною гарантією на пристрої. З огляду на середнє підвищення продуктивності (Sustained Performance) до 30%, накопичувачі серії 850 EVO стають одними з найнадійніших рішень для зберігання даних.

Енергоефективність за підтримки 3D V-NAND

Накопичувачі серії 850 EVO дозволять вашому ноутбуку працювати не тільки швидше, але й довше, завдяки підтримці спеціального режиму сну (при якому пристрій споживає лише 2 мВт), а так само наявності інноваційної 3D V-NAND технології, яка вимагає на 50% менше енергії порівняно з традиційними 2D NAND пристроями, що забезпечує до 25% енергоефективності при операціях запису*.

Динамічний теплозахист

Динамічний теплозахист у накопичувачах серії 850 EVO постійно та автоматично підтримує ідеальну температуру для оптимальної роботи пристрою.

Проста і швидка установка

За допомогою програм «One-stop Install Navigator» і Samsung Data Migration, які йдуть в комплекті, ви зможете за дві секунди перенести ваші дані зі старого SSD або HDD накопичувача на накопичувач 850 серії EVO, а за допомогою програми Samsung Magician можна оптимізувати його роботу.

Злагоджена робота всіх компонентів

НА відміну від багатьох виробників, компанія Samsung самостійно випускає всі компоненти своїх SSD накопичувачів. Результатом цього є найвища надійність, ефективність та злагодженість роботи всіх компонентів SSD-накопичувача.

Технічні характеристики:

• Застосування: ПК КОРИСТУВАЧА
• Продуктивність: 120 ГБ
• Форм-фактор: 2,5 дюйма
• Інтерфейс: SATA 6 Гб/ з Інтерфейс, сумісний з SATA 3 Гб/с та SATA 1,5 Гб/с інтерфейсами
• Розміри (ШxВxГ): 100,00x69,85x6,80 (мм)
• Пам'ять: Samsung 32-х шаровий 3D V-NAND
• Контролер: Samsung MGX Контролер
• Кеш пам'ять: Samsung 256 МБ низьковольтова DDR3 SDRAM
• Підтримка технології TRIM: Так
• SMART Support: Так
• Підтримка технології GC (Garbage Collection) для макс. Продуктивності: Auto Garbage Collection алгоритм
• Підтримка WWN: Так
• Підтримка сплячого режиму: Так
• Швидкість послідовного читання: до 540 МБ/сек
• Швидкість послідовного запису: 520 МБ /сек
• Швидкість випадкового читання блоками 4KB (QD32): до 94 000 IOPS
• Швидкість випадкового запису блоками 4KB (QD32): до 88 000 IOPS
• Випадкове читання (4KB, QD1) : до 10 000 IOPS
• Випадковий запис (4KB, QD1): до 40 000 IOPS
• Середнє енергоспоживання (на системному рівні): 2,1 Ватта – 2,4 Ватта (в режимі навантаження) Енергоспоживання в режимі очікування: 50 мВат
• Напруга живлення: 5 В ± 5% допустима напруга
• Середній час напрацювання на відмову (MTBF): 1,5 Мільйон годин (MTBF)
• Діапазон робочих температур: – 70°C Робоча температура
• Ударостійкість: 1 500 Г & 0,5 мс (Напівсинусоїда)

Особливості технології 3D V-NAND

У звичайній флеш -пам'яті типу NAND комірки, у яких зберігається інформація, плоскі. Таку пам'ять просто виготовляти, але вона має низку недоліків – для підвищення ємності чіпа доводиться зменшувати розміри осередків, що збільшує їх вплив один на одного та знижує надійність зберігання інформації. SSD накопичувачі Samsung виготовляються за допомогою інноваційної архітектури 3D V-NAND, в якій осередки мають циліндричну форму, що усуває їх вплив один на одного, а збільшення ємності досягається за рахунок розташування осередків один над одним в 32 шари без шкоди для надійності зберігання даних і швидкості роботи. Така конструкція дозволяє створити пам'ять, одночасно ємну, швидку та надійну

Унікальна технологія TurboWrite – неперевершена швидкість обміну даними

Забезпечте максимальну швидкість читання/запису з технологією TurboWrite від компанії Samsung. накопичувачі серії 850 EVO показують на 13%* вищий рівень продуктивності, завдяки вищій швидкості (близько 2-х разів) випадкового (random) запису. Вони також забезпечують найвищу продуктивність у своєму класі та з послідовною (sequential) швидкістю читання та запису, забезпечуючи результат у 540 МБ/с та 520 MБ/с відповідно.

Переключитесь на вищу передачу в режимі RAPID

Остання версія програми Samsung Magician дозволить вам ще більше збільшити швидкість роботи вашого накопичувача, увімкнувши режим RAPID. Він здатний задіяти до 25% вільної оперативної пам'яті (DRAM) вашого комп'ютера як інтелектуальний кеш. У режимі RAPID швидкість передачі даних, а також швидкість читання з випадковою (random) вибіркою зростає до 2-х разів у порівнянні зі звичайним режимом.

Надійність підкріплена технологією 3D V-NAND

SSD накопичувачі серії 850 EVO гарантують надійність і довговічність за рахунок подвоєння життєвого циклу Total Bytes Written (TBW) у порівнянні з попереднім поколінням накопичувачів серії 840 5-річною гарантією на пристрої. А враховуючи середнє підвищення продуктивності (Sustained Performance) до 30% Накопичувачі серії 850 EVO стають одними з найнадійніших рішень для зберігання даних.

Енергоефективність за підтримки 3D V-NAND

Накопичувачі серії 850 EVO дозволять вашому ноутбуку працювати не тільки швидше, але й довше, завдяки підтримці спеціального режиму сну (при якому пристрій споживає лише 2 мВт), а так само наявності інноваційної 3D V-NAND технології, яка потребує на 50% менше енергії порівняно з традиційними 2D NAND пристроями, що забезпечує вам до 25% енергоефективності під час операцій запису*.

Динамічний теплозахист

Динамічний теплозахист у накопичувачах серії 850 EVO постійно та автоматично підтримує ідеальну температуру для оптимальної роботи пристрою.

Проста і швидка установка

За допомогою програм" One-stop Install Navigator" і Samsung Data Migration, які йдуть в В комплекті, ви зможете в два рахунки перенести ваші дані зі старого SSD або HDD накопичувача на накопичувач 850 серії EVO, а за допомогою програми Samsung Magician можна додатково оптимізувати його роботу.

Злагоджена робота всіх компонентів

НА відміну від багатьох виробників, компанія Samsung самостійно випускає всі компоненти своїх SSD накопичувачів. Результатом цього є найвища надійність, ефективність та злагодженість роботи всіх компонентів SSD-накопичувача.

Технічні характеристики:

Застосування: ПК КОРИСТУВАЧА

Продуктивність: 120 ГБ

Форм-фактор: 2,5 дюйма

Інтерфейс: SATA 6 Гб/ з Інтерфейс, сумісний з SATA 3 Гб/с і SATA 1,5 Гб/с інтерфейсами

Розміри (ШxВxГ): 100,00x69,85x6,80 (мм)

Пам'ять: шаровий 3D V-NAND

Контролер: Samsung MGX Контролер

Кеш пам'ять: Samsung 256 МБ низьковольтова DDR3 SDRAM

Підтримка технології TRIM: Так

SMART Support: Так

Підтримка технології GC (Garbage Collection) для макс. Продуктивності: Auto Garbage Collection алгоритм

Підтримка WWN: Так

Підтримка сплячого режиму: Так

Швидкість послідовного читання: до 540 МБ/сек

Швидкість послідовного запису: 520 МБ /СЕК

Швидкість випадкового читання блоками 4KB (QD32): до 94 000 IOPS

Швидкість випадкового запису блоками 4KB (QD32): до 88 000 IOPS

Випадкове читання (4KB, QD1) : ДО 10 000 IOPS

Випадковий запис (4KB, QD1): до 40 000 IOPS

Середнє енергоспоживання (на системному рівні): 2,1 Ватта – 2,4 Ватта (в режимі навантаження) Енергоспоживання в режимі очікування: 50 мВат

Напруга живлення: 5 В ± 5% допустима напруга

Середній час напрацювання на відмову (MTBF): 1,5 Мільйон годин (MTBF)

Діапазон робочих температур: – 70°C Робоча температура

Ударостійкість: 1500 Г & 0,5 мс (Напівсинусоїда)