- Інтернет-магазин
- Носії інформації
- SSD-накопичувачі
- SAMSUNG
- SSD накопичувач SAMSUNG 850 Evo Kit 500GB 2,5" SATA (MZ-75E500RW)
- Все про товар
- Характеристики
- Опис
- Відгуки
- Фото
SSD накопичувач SAMSUNG 850 Evo Kit 500GB 2,5" SATA (MZ-75E500RW)
- SSD накопичувач SAMSUNG USB Type-C 1TB T7 Titan Gray (MU-PC1T0T/WW)5 999 грн
- SSD накопичувач M.2 Samsung 980 500GB NVMe PCIe Gen 3.0 x4 2280 (MZ-V8V500BW)2 999 грн
- SSD накопичувач M.2 Samsung 980 250GB NVMe PCIe Gen 3.0 x4 2280 (MZ-V8V250BW)2 299 грн
- SSD накопичувач Samsung M.2 NVMe PCIe 3.0 4x 1TB 980 (MZ-V8V1T0BW)5 835 грн
- SSD Samsung 2TB USB 3.2 Gen 2 1050 MB/s black T7 (MU-PE2T0S/EU)10 599 грн
- SSD Накопичувач SAMSUNG 250GB SATA V-NAND 2.5" 3bit MLC 870 EVO (MZ-77E250B/EU)2 399 грн
- SSD накопичувач SAMSUNG 2TB SATA V-NAND 2.5" 3bit MLC 870 EVO (MZ-77E2T0B/EU)9 499 грн
- SSD накопичувач SAMSUNG M.2 1TB PCIe 4.0 (NVMe) (MZ-V9P1T0CW)7 352 грн
- SSD накопичувач SAMSUNG M.2 2TB PCIe 4.0 (NVMe) (MZ-V9P2T0BW)10 451 грн
- SSD накопичувач SAMSUNG 2.5" 1TB SATA 870EVO (MZ-77E1T0B/EU)5 399 грн
- SSD Samsung 1TB USB 3.2 Gen 2 Type-C Shield T7 (MU-PE1T0S/EU)6 199 грн
- SSD накопичувач SAMSUNG 2.5" 500GB SATA 870EVO (MZ-77E500B/EU)3 099 грн
- Портативний SSD Samsung 2TB USB 3.2 Gen 2 Type-C Shield T7 Blue (MU-PE2T0R/EU)10 599 грн
- SSD накопичувач Samsung M.2 4TB PCIe 4.0 990PRO+радіатор20 176 грн
- Накопичувач SSD Samsung M.2 2TB PCIe 4.0 990EVO10 101 грн
Характеристики SSD накопичувач SAMSUNG 850 Evo Kit 500GB 2,5" SATA (MZ-75E500RW)
Тип | Зовнішній |
Об'єм накопичувача | 500 ГБ |
Тип NAND-пам'яті | TLC |
Контролер | Samsung MGX Controller |
Форм-фактор | 2.5" |
Швидкість читання даних, Mb/s | До 540 |
Швидкість запису даних, Mb/s | До 520 |
Інтерфейс підключення | SATA III |
Напрацювання мотора на відмову, тис. г | 1500 |
Апаратне шифрування | Так |
Ударостійкість у роботі | 1500 G |
Колір корпусу | Чорний |
Колір (основний) | Чорний |
Вага, грам | 66 |
Країна-виробник | Китай |
Артикул | MZ-75E500RW |
Відгуки та питання про SSD накопичувач SAMSUNG 850 Evo Kit 500GB 2,5" SATA (MZ-75E500RW)
- За замовчуванням
- По даті
- За корисністю
- З фото та відео
- За рейтингом
- За кількістю відповідей
Опис SSD накопичувач SAMSUNG 850 Evo Kit 500GB 2,5" SATA (MZ-75E500RW)
Особливості технології 3D V-NAND
У звичайній флеш-пам'яті типу NAND комірки, в яких зберігається інформація, плоскі. Таку пам'ять просто виготовляти, але вона має низку недоліків – для підвищення ємності чіпа доводиться зменшувати розміри осередків, що збільшує їх вплив один на одного та знижує надійність зберігання інформації. SSD накопичувачі Samsung виготовляються з використанням інноваційної архітектури 3D V-NAND, в якій осередки мають циліндричну форму, що усуває їх вплив один на одного, а збільшення ємності досягається за рахунок розташування осередків один над одним в 32 шари без шкоди для надійності зберігання даних і швидкості . Така конструкція дозволяє створити пам'ять, одночасно ємну, швидку та надійну
Унікальна технологія TurboWrite – неперевершена швидкість обміну даними
Забезпечте максимальну швидкість читання/запису з технологією TurboWrite від компанії Samsung. накопичувачі серії 850 EVO показують на 13%* вищий рівень продуктивності, завдяки вищій швидкості (близько 2-х разів) випадкового (random) запису. Вони так само забезпечують найвищу продуктивність у своєму класі та з послідовною (sequential) швидкістю читання та запису, забезпечуючи результат у 540 МБ/с та 520 MБ/с відповідно.
Переключитесь на вищу передачу в режимі RAPID
Остання версія програми Samsung Magician дозволить вам ще більше збільшити швидкість роботи вашого накопичувача, увімкнувши режим RAPID. Він здатний задіяти до 25% вільної оперативної пам'яті (DRAM) вашого комп'ютера як інтелектуальний кеш. У режимі RAPID швидкість передачі даних, а також швидкість читання з випадковою (random) вибіркою зростає до 2 разів в порівнянні зі звичайним режимом.
Надійність підкріплена технологією 3D V-NAND
SSD накопичувачі серії 850 EVO гарантують надійність і довговічність за рахунок подвоєння життєвого циклу Total Bytes Written (TBW) у порівнянні з попереднім поколінням накопичувачів серії 840 E 5-річною гарантією на пристрої. З огляду на середнє підвищення продуктивності (Sustained Performance) до 30%, накопичувачі серії 850 EVO стають одними з найнадійніших рішень для зберігання даних.
Енергоефективність за підтримки 3D V-NAND
Накопичувачі серії 850 EVO дозволять вашому ноутбуку працювати не тільки швидше, але й довше, завдяки підтримці спеціального режиму сну (при якому пристрій споживає лише 2 мВт), а так само наявності інноваційної 3D V-NAND технології, яка вимагає на 50% менше енергії порівняно з традиційними 2D NAND пристроями, що забезпечує до 25% енергоефективності при операціях запису*.
Динамічний теплозахист
Динамічний теплозахист у накопичувачах серії 850 EVO постійно та автоматично підтримує ідеальну температуру для оптимальної роботи пристрою.
Проста і швидка установка
За допомогою програм «One-stop Install Navigator» і Samsung Data Migration, які йдуть в комплекті, ви зможете за дві секунди перенести ваші дані зі старого SSD або HDD накопичувача на накопичувач 850 серії EVO, а за допомогою програми Samsung Magician можна оптимізувати його роботу.
Злагоджена робота всіх компонентів
НА відміну від багатьох виробників, компанія Samsung самостійно випускає всі компоненти своїх SSD накопичувачів. Результатом цього є найвища надійність, ефективність та злагодженість роботи всіх компонентів SSD-накопичувача.
Технічні характеристики:
- Застосування: ПК КОРИСТУВАЧА
- Продуктивність: 500ГБ (1ГБ=1 мільярд IDEMA)
- Форм-фактор: 2,5 дюйма
- Інтерфейс: SATA 6 Гб/с Інтерфейс, сумісний з SATA 3 Гб/с та SATA 1,5 Гб/с інтерфейсами
- Розміри (ШxВxГ): 100,00x69,85x6,80 (мм)
- Пам'ять: Samsung 32-х шаровий 3D V-NAND
- Контролер: Samsung MGX Контролер
- Кеш пам'ять: Samsung 512 МБ низьковольтова DDR3 SDRAM
- Підтримка технології TRIM: Так
- SMART Support: Так
- Підтримка технології GC (Garbage Collection) для макс. продуктивності: Auto Garbage Collection алгоритм
- Підтримка WWN: Так
- Підтримка сплячого режиму: Так
- Швидкість послідовного читання: до 540 МБ/сек
- Швидкість послідовного запису: до 520 МБ/сек
- Швидкість випадкового читання блоками 4KB (QD32): до 98 000 IOPS
- Швидкість випадкового запису блоками 4KB (QD32): до 90 000 IOPS
- Випадкове читання (4KB, QD1): до 10 000 IOPS
- Випадковий запис (4KB, QD1): до 40 000 IOPS
- Середнє енергоспоживання (на системному рівні): 3,0 Ватта-3,5 Ватта (в режимі навантаження)
- Енергоспоживання в режимі очікування: макс. 50
- Напруга живлення: 5 В ± 5% допустима напруга
- Середній час напрацювання на відмову (MTBF): 1,5 мільйона годин (MTBF)
- Діапазон робочих температурН – 70°C робоча температура
- Ударостійкість: 1500 Г & 0,5 мс (Напівсинусоїда)