Характеристики Пам'ять серверна SAMSUNG DDR3 1600 MHz 8 GB (M393B1G70EB0-YK0Q2)
Основні характеристики
Робоча напруга, В | 1,5 |
Призначення | Для серверів |
Оперативна пам'ять (тип) | DDR3 - 1600 МГц |
Оперативна пам'ять (Буферизована) | Registered/Buffered (Регистровая) |
Оперативна пам'ять (об'єм) | 8 ГБ |
Частота роботи шини пам'яті, МГц | 1600 |
Оперативна пам'ять (Низькопрофільна) | Ні |
Кількість планок у комплекті, шт | 1 |
Тип охолодження | Без охолодження |
Пропускна здатність шини, Мб/сек | 12800 |
Гарантія, міс. | 36 |
Кількість контактів | 240-pin |
Схема таймінгів пам'яті | CL11 (11-11-11) |
Оперативна пам'ять (Rank) | Single Rank |
Оперативна пам'ять (ECC) | ECC |
Артикул | M393B1G70EB0-YK0Q2 |
Показати всі характеристики
Відгуки та питання Пам'ять серверна SAMSUNG DDR3 1600 MHz 8 GB (M393B1G70EB0-YK0Q2)
- За замовчуванням
- По даті
- За корисністю
- За кількістю відповідей
Опис Пам'ять серверна SAMSUNG DDR3 1600 MHz 8 GB (M393B1G70EB0-YK0Q2)
Samsung DDR3 Registered DIMMs (RDIMMs) розроблені з додатковим регістром обладнання між модулем DRAM і контролером пам'яті системи. Модулі rdimm мають ряд переваг системи, такі як зниження електричного навантаження на контролер пам'яті і стійкої стабільності навіть при збільшенні кількості встановлених модулів пам'яті. Таким чином, модулі rdimm часто є вибором за замовчуванням для розгортання серверних обчислювальних систем. Реєстрові модулі DIMM забезпечують оптимальне рішення для середовищ з високим ступенем віртуалізації, високопродуктивних обчислень і мереж. Напівпровідникові модулі пам'яті ddr3 від Samsung забезпечують високу продуктивність при малих вимогах до харчування, ніж раніше доступні продукти пам'яті. Подвоєна пропускна здатність, поряд зі зниженим напругою і значно більш низьку витрату енергії, підвищує продуктивність і оптимізують загальну вартість володіння. Samsung ddr3 і підвищення надійності, доступності та обслужіваемості (RAS) функції забезпечують підвищену надійність і поліпшену цілісність сигналу.