SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Kit 500GB 2,5" SATA (MZ-75E500RW)

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков - для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную

Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными

Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи с технологией TurboWrite от компании Samsung. накопители серии 850 EVO показывают на 13%* более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID

Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х раз по сравнению с обычным режимом.

Надёжность подкреплённая технологией 3D V-NAND

SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жизненного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO* , что подтверждается 5-и летней гарантией на устройства. А учитывая среднее повышение производительности (Sustained Performance) до 30%, накопители серии 850 EVO становятся одними из самых надежных решений для хранения данных.

Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND

Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективности при операциях записи*.

Динамическая теплозащита

Динамическая теплозащита в накопителях серии 850 EVO постоянно и автоматически поддерживает идеальную температуру для оптимальной работы устройства.

Простая и быстрая установка

При помощи программ «One-stop Install Navigator» и Samsung Data Migration, которые идут в комплекте, вы сможете в два счёта перенести ваши данные со старого SSD или HDD накопителя на накопитель 850 серии EVO, а с помощью программы Samsung Magician можно дополнительно оптимизировать его работу.

Слаженная работа всех компонентов

В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.

Технические характеристики:

• Применение: пользовательские ПК
• Производительность: 500ГБ (1ГБ = 1 миллиард IDEMA) 
• Форм-фактор: 2,5 дюйма
• Интерфейс: SATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
• Размеры (ШxВxГ): 100,00x69,85x6,80 (мм)
• Память: Samsung 32-х слойный 3D V-NAND
• Контроллер: Samsung MGX Контроллер
• Кэш память: Samsung 512 МБ низковольтовая DDR3 SDRAM
• Поддержка технологии TRIM: Да
• S.M.A.R.T Support: Да
• Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. производительности: Auto Garbage Collection алгоритм
• Поддержка WWN: Да
• Поддержка спящего режима: Да
• Скорость последовательного чтения: до 540 МБ/сек 
• Скорость последовательной записи: до 520 МБ/сек 
• Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32): до 98 000 IOPS 
• Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32): до 90 000 IOPS 
• Случайное чтение (4KB, QD1): до 10 000 IOPS 
• Случайная запись (4KB, QD1): до 40 000 IOPS 
• Среднее энергопотребление (на системном уровне): 3,0 Ватта-3,5 Ватта (в режиме нагрузки) 
• Энергопотребление в ждущем режиме: макс. 50 
• Напряжение питания: 5 В ± 5% допустимое напряжение
• Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1,5 миллион часов (MTBF)
• Диапазон рабочих температурН 0 - 70 °C рабочая температура
• Ударостойкость: 1 500 Г & 0,5 мс (Полусинусоида)