Линейка твердотельных накопителей Intel 530 Series, ориентирована на использование в ПК и ноутбуках оснащенных разъемом SATA3. Твердотельный накопитель оснащен 20 нм Intel NAND Multi-Level Cell (MLC) памятью.
Спецификация
- Последовательное чтение 540 MB/s
- Последовательная запись 490 MB/s
- Случайное чтение (участок 8 ГБ) 41000 IOPS
- Случайная запись (участок 8 ГБ) 49000 IOPS
- Задержка - чтение 80 µs
- Задержка - запись 85 µs
- Питание - активный режим 140 mW
- Питание - режим простоя 55 mW
- Вибрация - при работе 2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
- Вибрация - при хранении 3.13 GRMS (5-700 Hz) Max
- Ударная нагрузка (при работе и при хранении) 1000 G (Max) at 0.5 msec
- Диапазон рабочих температур 0°C to 70°C
- Масса < 10 grams
- Среднее время наработки на отказ 1,200,000 Hours
- Доля неустранимых битовых ошибок (UBER) <1 sector per 10^16 bits read
- Компоненты Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology
- Емкость 180 GB
- Форм-фактор M.2 22 x 80mm
- Интерфейс SATA 3.0 6Gb/S
- Литография 20 nm
- Аппаратное шифрование AES 256 bit
- Комплексная защита данных
- Технология Intel® Smart Response
- Технология Intel® Rapid Start