SSD накопитель SAMSUNG 850 Evo Series 250GB 2.5" SATAIII (MZ-75E250BW)

Особенности технологии 3D V-NAND
В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную.

Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными
Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи с технологией TurboWrite от компании Samsung. По сравнению с серией 840 EVO, накопители серии EVO 850 показывают на 13%* более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (почти в 2 раз) случайной (random) записи** Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и в последовательной (sequential) скорости чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно. 
* PCmark7 тест (250ГБ): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO) 
** Случайная (Random) Запись (QD32,120ГБ) : 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO)

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID
Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х* раз по сравнению с обычным режимом. 
* Результаты теста PCMARK7 RAW (250ГБ): 7 500 > 15 000 (режим RAPID)

Надёжность подкреплённая технологией 3D V-NAND
SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жененного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO* , что подтверждается 5-и летней гарантией на устройства. А учитывая среднее повышение производительности (Sustained Performance)** до 30%, накопители серии 850 EVO становятся одними из самых надежных решений для хранения данных. 

* Показатели TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250ГБ), 150 (850 EVO 500/1ТБ)

** Sustained Performance (250ГБ) : 3 300 IOPS (840 EVO) >; 6 500 IOPS (850 EVO), Производительность измерялась после 12-и часового “Random Write” теста.

Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND
Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективноси при операциях записи*. * Питание (250ГБ): 3.2 Ватт (840 EVO) > 2.4 Ватт (850 EVO)

Динамическая теплозащита

Динамическая теплозащита в накопителях серии 850 EVO постоянно и автоматически поддерживает идеальную температуру для оптимальной работы устройства.

Простая и быстрая установка

При помощи программ «One-stop Install Navigator» и Samsung Data Migration, которые идут в комплекте, вы сможете в два счёта перенести ваши данные со старого SSD или HDD накопителя на накопитель 850 серии EVO, а с помощью программы Samsung Magician можно дополнительно оптимизировать его работу.

Слаженная работа всех компонентов

В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.